西安电子科技大学马晓华教授：氮化镓材料未来在高频保持优势

在“6G毫米波与太赫兹技术”分论坛上，教育部长江学者特聘教授、西安电子科技大学教授马晓华表示，6G应用将给现有的前端芯片提出新的挑战。未来比较可行的是氮化镓器件，在高频、高效、带宽和大功率等方面综合表现突出。

国内外都对氮化镓材料展开了研究，例如德国基于氮化镓实现了芯片性能的突破，100GHz以上的连续输出，且位于更高的频段。各类研究进展说明，氮化镓未来在100GHz以上甚至300GHz频段，都会保持一定优势。

硅基可能是一个新的体系挑战。英特尔这几年也很关注，氮化镓未来能否跟硅基兼容，选氮化镓体系同时在做硅器件和氮化镓器件的集成，并已经实现600GHz以上单个氮化镓器件，完全和硅技术是兼容的体系。

经过大量探索，马晓华表示硅基氮化镓材料研究在不断地提升，不仅仅在性能构架和成本上有优势，而且随着外延材料不断更新和工艺不断发展，面向未来亚毫米波300GHz以上、太赫兹应用也是一个新的增长点。

面向未来的研究方向，一是继续找更强表面极化的材料，比如氮化镓以及氮面材料，再就是继续优化低的界面结构和工艺，进一步减小栅的尺寸。基于这一系列提升，未来可以形成硅基的功率以及处理器，和有源无源的集成系统，应用场景就会有出现明显扩展。业界需要从结构和架构上努力，硅基氮化镓以及毫米波器件一定会取得新突破。